VNS3NV04DPTR-E

功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • 甄芯网

    0755-83665813

  • VNS3NV04DPTR-E
  •  
  • STMicroelectronics
  • 12+
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm
  • █原装正品█ 可开17%增票█ 可申请免费样品█ 
  • 立即询价
  • VNS3NV04DPTR-E
  • 2500
  •  
  • 14+
  • SOP8
  • 全新原装现货库存价格优势,同时回收原装物料 
  • 立即询价
  • VNS3NV04DPTR-E
  • 14296
  • ST
  • 16+
  • IC
  • 原装现货,量大特价,原厂正规渠道! 
  • 立即询价